[发明专利]等离子体处理设备及其基片载板有效
| 申请号： | 200810226608.0 | 申请日： | 2008-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101740448A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 林挺昌 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/00;C23C16/458;C23C14/50;C23F4/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏晓波;逯长明 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基片载板，用于等离子体处理设备，包括具有多个安置腔的载板本体，所述基片由所述安置腔中的支撑部件支撑；自所述载板本体的中心部位向外周部位，各所述安置腔中支撑部件的顶部所处的位置依次上升。本发明还公开了包括上述基片载板的等离子体处理设备。自气体分配装置中心部位的气孔输出的气体到达相应基片表面时所经过的距离相对较长，因而扩散程度相对较高；自所述气体分配装置外周部位的气孔输出的气体到达相应基片表面时所经过的距离相对较短，因而扩散程度相对较低。这样就可以有效抵消不同位置的气孔所输出的气体之间的浓度差异，使得基片载板上不同位置的基片表面的气体浓度更为均一。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 设备 及其 基片载板 | ||
【主权项】：
一种基片载板，用于等离子体处理设备，包括具有多个安置腔的载板本体，所述基片由所述安置腔中的支撑部件支撑；其特征在于，自所述载板本体的中心部位向外周部位，各所述安置腔中支撑部件的顶部所处的位置依次上升。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
