[发明专利]半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机有效

专利信息
申请号: 200810226688.X 申请日: 2008-11-19
公开(公告)号: CN101740337A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 惠瑜;景玉鹏 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/02;B08B7/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机,其清洗腔内有磁动旋转装置。二氧化碳超临界流体具有零表面张力、低粘滞度、强扩散能力和溶解能力,可以对硅片上的微细结构进行有效清洗和超临界干燥。该半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机的主要结构是清洗腔,在设计中通过加入磁旋转结构,配合喷嘴,可以达到理想的清洗效果。该设备的开发和研制,可以大大推动半导体清洗技术的发展。
搜索关键词: 半导体 二氧化碳 临界 清洗
【主权项】:
一种半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机,其特征在于,包括:支架(10);固定于支架(10)上的清洗室(1)和分离室(3),且清洗室(1)与分离室(3)在底部通过密封的二氧化碳出气管(12)连通;固定于清洗室(1)底部的磁旋转装置(6);固定于磁旋转装置(6)之上的硅片支架(2);向清洗室(1)中通入二氧化碳的喷嘴(16),二氧化碳通过喷嘴(16)直接喷射到硅片支架(2)上的硅片上;与喷嘴(16)连通的助溶剂和清洗剂存储腔(4);对清洗室(1)进行加热或制冷的温度控制系统(7),该温度控制系统(7)通过缠绕设置于清洗室(1)外壁的加热和制冷盘管(5)对清洗室(1)进行加热或制冷;通过密封管道和喷嘴(16)与清洗室(1)连通的二氧化碳循环系统(8),该二氧化碳循环系统(8)同时与分离室(3)通过密封管道连通;以及与分离室(3)底部连通的分离室废液排管(9)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810226688.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top