[发明专利]轻掺杂漏极的形成方法和半导体器件无效
| 申请号： | 200810227175.0 | 申请日： | 2008-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101740517A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 毛刚;王家佳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种轻掺杂漏极的形成方法和半导体器件，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心器件区域和输入/输出器件区域，栅极的侧壁外具有第一侧墙；在所述半导体衬底上形成掩膜层，以将所述核心器件区域覆盖；去除所述输入/输出器件区域上的栅极的侧壁外的第一侧墙；去除所述覆盖核心器件区域的掩膜层；采用离子注入法分别在所述核心器件区域和输入/输出器件区域中形成轻掺杂漏极，其中，所述核心器件区域上栅极的侧壁外的第一侧墙阻挡离子注入其下面的区域。采用本发明所述的轻掺杂漏极的形成方法能够提高栅极与源/漏极的交迭电容，避免产生热载流子效应，提高输入/输出器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种轻掺杂漏极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心器件区域和输入/输出器件区域，所述核心器件区域和输入/输出器件区域上具有栅介质层和位于栅介质层上的栅极，所述栅极的侧壁外具有第一侧墙；在所述半导体衬底上形成掩膜层，以将所述核心器件区域覆盖，并露出所述输入/输出器件区域；去除所述输入/输出器件区域上的栅极的侧壁外的第一侧墙；去除所述覆盖核心器件区域的掩膜层；采用离子注入法分别在所述核心器件区域和输入/输出器件区域中形成轻掺杂漏极，其中，所述核心器件区域上栅极的侧壁外的第一侧墙阻挡离子注入其下面的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
