[发明专利]提高多晶硅薄膜关键尺寸均匀度的方法有效
| 申请号： | 200810227471.0 | 申请日： | 2008-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101736405A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 黄怡;张海洋;陈海华;赵林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了提高多晶硅薄膜关键尺寸均匀度的方法，用于将晶圆置于反应腔中进行多晶硅薄膜刻蚀，该方法包括：对晶圆进行多晶硅薄膜刻蚀前，利用化学气相沉积的方法在反应腔侧壁上生成SiO2Cl4。本发明实施例的这种提高多晶硅薄膜关键尺寸均匀度的方法，每次在对晶圆加工前预先在反应室的侧壁上沉积一层物质，能够有效防止污染粒子对晶圆的表面污染，并且，利用该物质与刻蚀气体反应释放出的氧原子与晶圆边缘的硅进行反应生成氧化物，降低了刻蚀气体对于晶圆边缘各向同性的腐蚀，从而能够有效提高多晶硅薄膜关键尺寸的均匀度，且该方法实现简单成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 多晶 薄膜 关键 尺寸 均匀 方法 | ||
【主权项】：
提高多晶硅薄膜关键尺寸均匀度的方法，用于将晶圆置于反应腔中进行多晶硅薄膜刻蚀，其特征在于，该方法包括：对晶圆进行多晶硅薄膜刻蚀前，利用化学气相沉积的方法在反应腔侧壁上生成SiO2Cl4。
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