[发明专利]扁蓿豆发芽方法及其应用

摘要

本发明公开了一种扁蓿豆发芽方法及其应用。本发明提供的扁蓿豆发芽方法，包括如下步骤：将贮藏8年以上的扁蓿豆、贮藏2至7年的扁蓿豆或将当年扁蓿豆进行不同的预处理和不同条件的培养，来促进扁蓿豆发芽。本发明公开的方法可应用于扁蓿豆种子的发芽处理，提高种子的发芽率。本发明公开的方法还可应用于扁蓿豆种子质量检验。本发明对于我国牧草与草坪草种子质量检验以及对保障种子经营市场中人们了解种子质量状况，保证人们利益均具有重要的理论及实际意义。

主权项

一种扁蓿豆发芽方法，包括如下步骤：将贮藏8年以上的扁蓿豆进行如下1)或2)的处理，或将贮藏2至7年的扁蓿豆进行如下3)至5)中的任一处理，或将当年扁蓿豆进行如下6)至8)中的任一处理：1)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上：每天光照培养8‑12小时，每天黑暗培养16‑12小时，培养温度为20℃或25℃；2)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上：每天光照培养8‑12小时，所述光照培养的温度为25℃；每天黑暗培养16‑12小时，所述黑暗培养的温度为15℃；3)将扁蓿豆预冷后置于用质量百分比为0.2％的KNO3浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上：每天光照培养8‑12小时，所述光照培养的温度为30℃；每天黑暗培养16‑12小时，所述黑暗培养的温度为20℃；4)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上：每天光照培养8‑12小时，每天黑暗培养16‑12小时，培养温度为25℃；5)将扁蓿豆预冷后置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上：每天光照培养8‑12小时，所述光照培养的温度为25℃；每天黑暗培养16‑12小时，所述黑暗培养的温度为15℃；6)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上：每天光照培养8‑12小时，所述光照培养的温度为30℃；每天黑暗培养16‑12小时，所述黑暗培养的温度为20℃；7)将扁蓿豆置于用质量百分比为0.2％的KNO3浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上：每天光照培养8‑12小时，每天黑暗培养16‑12小时，培养温度为25℃；8)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上：每天光照培养8‑12小时，每天黑暗培养16‑12小时，培养温度为20℃或25℃；所述预冷为将种子置于5‑10℃放置7‑10天。