[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 200810240446.6 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101752319A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 孙增辉;胡文杰;张卓;邵喜斌 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，包括：沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、栅电极和公共电极线的图形；依次沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属薄膜，采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；沉积钝化层，涂覆光刻胶后，通过曝光、显影和刻蚀工艺在像素区域内形成钝化层凹坑，所述钝化层凹坑中暴露出部分漏电极；沉积透明导电薄膜，利用带膜剥离工艺去除光刻胶以及覆盖在光刻胶上的透明导电薄膜，在所述钝化层凹坑内形成像素电极图形，所述像素电极与漏电极直接连接。本发明缩短了生产时间，提高了生产效率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 液晶显示器 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、栅电极和公共电极线的图形；步骤2、在完成步骤1的基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属薄膜，采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层，涂覆光刻胶后，通过曝光、显影和刻蚀工艺在像素区域内形成钝化层凹坑，所述钝化层凹坑中暴露出部分漏电极；步骤4、在完成步骤3的基板上沉积透明导电薄膜，利用带膜剥离工艺去除光刻胶以及覆盖在光刻胶上的透明导电薄膜，在所述钝化层凹坑内形成像素电极图形，所述像素电极与漏电极直接连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810240446.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：偏心圆弧车夹具
- 下一篇：一种立式精镗外圆定位、上下端面夹紧精密夹具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
