[发明专利]适用于双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法

摘要

本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种适用于双极晶体管或异质结双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法。所述制备方法是利用器件发射区窗口掩膜版，通过光刻在光刻胶上形成窗口，然后利用大剂量离子注入向该窗口内注入扩散较快的第一导电类型的杂质离子，在重掺杂第一导电类型的集电区衬底或重掺杂第一导电类型的集电区埋层中形成掺杂浓度更高的第一导电类型的附加局部集电区隐埋层，并以此为扩散源，在随后生长低掺杂集电区外延层或热处理过程中向器件发射区窗口扩散、延伸形成杂质浓度呈倒梯度分布的局部选择性隐埋集电区结构，从而同时提高器件的f_T和f_max，本发明在常规设备及工艺条件下，无需高能离子注入设备即可实现。

主权项

1.一种适用于双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法，所述选择性隐埋集电区结构包括在重掺杂衬底或集电区重掺杂埋层中由高浓度快速扩散杂质形成的附加局部集电区隐埋层，以及据此向正对器件发射区窗口下面的局部集电区外延层中延伸而成的、杂质浓度呈倒梯度分布的集电区部分；其中双极晶体管还包括异质结双极晶体管；其特征在于，所述适用于双极晶体管或异质结双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备工艺流程包括以下步骤：1)在重掺杂衬底或重掺杂集电区埋层中正对器件发射区窗口下方的区域，由高浓度快速扩散杂质形成附加的局部集电区隐埋层；2)利用外延工艺生长常规的轻掺杂集电区外延层；3)利用附加的局部集电区隐埋层中的快速扩散杂质具有比构成重掺杂衬底或集电区重掺杂埋层的杂质更高的扩散系数，借助上述外延工艺本身的热推进作用，或通过其后的热扩散推进工艺或器件制备工艺所必需的热处理过程，使该附加的局部集电区隐埋层中的杂质向正对器件发射区窗口下面的局部集电区外延层中扩散，从而在此局部选择性地提高集电区杂质浓度，并形成所需要的从衬底或集电区埋层向表面的倒梯度杂质浓度分布，同时使发射区窗口以外的集电区外延层中的杂质浓度维持在较低的水平。4)此后采用任何可行的双极晶体管或异质结双极晶体管的工艺流程完成器件的制备。