[发明专利]一种制作P型金属氧化物半导体的方法有效
| 申请号： | 200810247075.4 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101770955A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李若加;谭志辉;黎智 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作P型金属氧化物半导体的方法，包括：对硅片进行磷离子注入以及砷离子注入，形成N阱；对所述形成N阱后的硅片进行P型金属氧化物半导体PMOS阈值电压VTP注入；对经过所述VTP注入的硅片进行栅极制作；对经过所述栅极制作的硅片进行源漏注入。通过本发明实施例提供的上述技术方案，在制作PMOS的过程中，通过再次注入N型离子中比磷离子原子量大一倍多的砷离子，从而使得硅片表面的离子浓度与传统工艺制作出的PMOS表面的离子浓度相比大很多，进而大大提高了源漏击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 金属 氧化物 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种制作P型金属氧化物半导体的方法，其特征在于，包括：对硅片进行磷离子注入以及砷离子注入，形成N阱；对所述形成N阱后的硅片进行P型金属氧化物半导体PMOS阈值电压VTP注入；对经过所述VTP注入的硅片进行栅极制作；对经过所述栅极制作的硅片进行源漏注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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