[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200810247591.7 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101770123A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 邱海军;王章涛;闵泰烨;赵继刚 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，其中，方法包括：步骤1、在基板上形成包括栅线、栅电极、有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道的图形；所述数据线包括主干部分和分支部分；步骤2、在完成步骤1的基板上沉积一层钝化层薄膜，形成钝化层过孔；步骤3、在完成步骤2的基板上沉积一层透明导电薄膜，通过构图工艺形成像素电极的图形，所述像素电极的图形被所述数据线的主干部分和分支部分形成的图形围绕。本发明通过将数据线图形设置成围绕像素电极的图形，可以克服现有技术中由于数据线发生偏移导致的单个像素电极上的寄生电容发生增大或减小的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述数据线包括主干部分和分支部分，所述像素电极四周被所述数据线的主干部分和分支部分围成的图形所围绕。
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