[发明专利]遮光元件及其镀膜方法无效
| 申请号： | 200810304770.X | 申请日： | 2008-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101713062A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 洪新钦 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/14;G02B1/10;G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种遮光元件的镀膜方法，其包括以下步骤：提供一镀膜机、一金属钯材、一试验基材及一待镀膜基材；将金属钯材及试验基材放入镀膜机的真空腔后，调整镀膜机的电子束的功率及镀膜机气体源的气体释放量，使因电子束轰击产生的金属钯材离子与所释放的气体完全反应；取出试验基材，放入待镀膜基材，通过调整电子束功率或气体源的气体释放量之一，在所述待镀膜基材上形成一层膜层，且从靠近待镀膜基材一侧到远离待镀膜基材一侧，所述膜层中金属钯材单质的沉积浓度逐渐增加，而金属钯材化合物的沉积浓度逐渐减小；当膜层的电阻值保持不变后，镀膜完成。通过调整电子束功率或气体释放量，可得到不同效果的遮光元件。本发明还提供一种遮光元件。 | ||
| 搜索关键词： | 遮光 元件 及其 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
一种遮光元件的镀膜方法，其包括以下步骤：提供一镀膜机、一金属钯材、一试验基材及一待镀膜基材；将金属钯材及试验基材放入镀膜机的真空腔后，调整镀膜机的电子束的功率及镀膜机气体源的气体释放量，使电子束轰击产生的金属钯材离子与所释放的气体完全反应；取出试验基材，并将待镀膜基材放入真空腔，通过调整电子束的功率或气体源的气体释放量之一，在所述待镀膜基材上形成一层膜层，且从靠近待镀膜基材一侧到远离待镀膜基材一侧，所述膜层中金属钯材单质的沉积浓度逐渐增加，而金属钯材反应物的沉积浓度逐渐减小；当膜层的电阻值保持不变后，镀膜完成。
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