[实用新型]LCOS像素单元器件结构

摘要

本实用新型提供一种LCOS像素单元器件结构，属于信息科学技术学科的微电子应用技术领域，特别是涉及一种硅基液晶显示器像素单元器件结构领域。新的LCOS像素单元器件结构设置在P型硅衬底上，具有N型阱(4)、PMOS管的栅极(3)、PMOS管的漏极(2)、PMOS管的源极(6)、PMOS管的背电极(1)、NMOS管的栅极(11)、NMOS管的漏极(9)、NMOS管的源极(6)、NMOS管的背电极(15)、电容器的上电极(24)、电容器的下电极(22)，并包括第1层绝缘层覆(16)盖在P型硅衬底之上(13)、第2层绝缘层(18)放置在第1层绝缘层(16)之上、第3层绝缘层(19)放置在第2层绝缘层(18)之上、电容器的绝缘层(23)放置在第3层绝缘层(19)之上，电容器的绝缘层(23)厚度是50纳米～100纳米。本项专利降低了像素输入数据的损耗，提高了像素存贮电容器的单位电容值。

主权项

1、LCOS像素单元器件结构，包括一个N型阱(4)、一个NMOS管和一个电容器，其特征在于，还包括一个PMOS管，所述的N型阱(4)、NMOS管和PMOS管置于P型硅衬底(13)上，P型硅衬底(13)之上覆盖第1层绝缘层(16)，第2层绝缘层(18)设置在第1层绝缘层(16)之上，第3层绝缘层(19)设置在第2层绝缘层(18)之上，电容器设置在第3层绝缘层(19)之上。