[实用新型]沉积薄膜制程中的晶圆承载装置无效
| 申请号： | 200820132609.4 | 申请日： | 2008-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN201236206Y | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 陈汉阳 | 申请（专利权）人： | 陈汉阳 |
| 主分类号： | C23C14/50 | 分类号： | C23C14/50;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型是一种沉积薄膜制程中的晶圆承载装置，包括：一反应室；一加热座，设在所述的反应室内；一静电吸盘，固定在所述的加热座顶面，用来吸附固定一晶圆；一沉积环，固定在所述的静电吸盘的外圆周；一低位护罩，固定在所述的沉积环的外圆周，其具有一向上开口的沟槽，所述的沟槽两侧分别为一第一侧壁以及一第二侧壁；一高位护罩，固定在所述的反应室的侧壁，其具有一第一侧壁伸入所述的低位护罩的沟槽中，所述的第一侧壁的底端与所述的沟槽的槽底相隔一距离；复数顶针，固定在所述的反应室底部，可穿过所述的加热座以及所述的静电吸盘周缘的顶针穿孔而能接触所述的晶圆的底面。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 薄膜 中的 承载 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种沉积薄膜制程中的晶圆承载装置，其特征在于，包括：一反应室(30)；一加热座(31)，设在所述的反应室(30)内；一静电吸盘(32)，固定在所述的加热座(31)顶面，用来吸附固定一晶圆(40)；一沉积环(33)，固定在所述的静电吸盘(32)的外圆周；一低位护罩(34)，固定在所述的沉积环(33)的外圆周，其具有一向上开口的沟槽(35)，所述的沟槽(35)两侧分别为一第一侧壁(351)以及一第二侧壁(352)；一高位护罩(36)，固定在所述的反应室(30)的侧壁，其具有一第一侧壁(371)伸入所述的低位护罩(34)的沟槽(35)中，所述的第一侧壁(371)的底端与所述的沟槽(35)的槽底相隔一距离；复数顶针(38)，固定在所述的反应室(30)底部，可穿过所述的加热座(31)以及所述的静电吸盘(32)周缘的顶针穿孔(311、321)而能接触所述的晶圆(40)的底面。
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