[实用新型]自振荡半桥电路装置、包括该装置的镇流器和灯无效

专利信息
申请号: 200820140313.7 申请日: 2008-10-10
公开(公告)号: CN201491352U 公开(公告)日: 2010-05-26
发明(设计)人: 高炜 申请(专利权)人: 奥斯兰姆有限公司
主分类号: H05B41/24 分类号: H05B41/24;H05B37/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王萍;高少蔚
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 公开了一种自振荡半桥电路装置,包括开关单元、驱动单元及隔直电容,其中:开关单元包括串联连接形成半桥的第一三极管和第二三极管,第一三极管的发射极与第二三极管的集电极耦接,第一三极管的集电极耦接到自振荡半桥电路装置的供电电源,第二三极管的发射极耦接到自振荡半桥电路装置的第二输出节点;驱动单元包括气隙变压器,其初级绕组的同名端与第一三极管和第二三极管之间的连接点耦接,另一端与隔直电容的一端耦接;第一次级绕组的同名端耦接于第一三极管的基极,另一端耦接于所述连接点;第二次级绕组的同名端耦接于所述第二输出节点,另一端耦接于第二三极管的基极;所述隔直电容的另一端与自振荡半桥电路装置的第一输出节点耦接。
搜索关键词: 振荡 电路 装置 包括 镇流器
【主权项】:
一种自振荡半桥电路装置,包括开关单元(Q1,Q2)、驱动单元(T1a,T2c,T2b)以及隔直电容(C1),其中所述开关单元包括第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2),所述第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2)串联连接形成半桥,其中第一三极管(Q1)的发射极与第二三极管(Q2)的集电极耦接,第一三极管(Q1)的集电极耦接到自振荡半桥电路装置的供电电源(VDC),第二三极管(Q2)的发射极耦接到自振荡半桥电路装置的第二输出节点(N);所述驱动单元包括气隙变压器,所述气隙变压器包括初级绕组(T1a),第一次级绕组(T2c)和第二次级绕组(T2b),其中,所述初级绕组(T1a)的同名端与第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2)之间的连接点(A)耦接,另一端与隔直电容(C1)的一端耦接;所述第一次级绕组(T2c)的同名端耦接于第一三极管(Q1)的基极,另一端耦接于第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2)之间的连接点(A);所述第二次级绕组(T2b)的同名端耦接于所述第二输出节点(N),另一端耦接于第二三极管(Q2)的基极;以及所述隔直电容(C1)的另一端与自振荡半桥电路装置的第一输出节点(M)耦接。
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