[实用新型]一种源跟随器及其工艺结构，及共模电平平移电路有效
| 申请号： | 200820166833.5 | 申请日： | 2008-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN201319583Y | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 潘华兵 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/50 | 分类号： | H03F3/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种源跟随器包括一NMOS晶体管和电流源，其特征在于所述的NMOS的栅极作为输入端，漏极连接电源，源极连接电流源，电流源接地，NMOS的衬底和NMOS源极短接。本实用新型还提供了一种源跟随器的工艺结构，包括P衬底、P阱、P扩散以及N扩散，其特征在于采用独立的N阱、N埋层、P埋层将P衬底同P扩散隔离开，实现NMOS的P阱电位和源极的连接。本实用新型所述的源跟随器能够减小体效应，减小源漏电压，该源跟随器适合低电压工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 跟随 及其 工艺 结构 电平 平移 电路 | ||
【主权项】：
1.一种源跟随器包括一NMOS晶体管和电流源，其特征在于所述的NMOS的栅极作为输入端，漏极连接电源，源极连接电流源，电流源接地，NMOS的衬底和NMOS源极短接。
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