[实用新型]利用激光烧结以结合陶磁材料及铜材的细线路结构有效
申请号: | 200820210138.4 | 申请日: | 2008-11-13 |
公开(公告)号: | CN201328219Y | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 陈宗源;范志朋;贾妍缇 | 申请(专利权)人: | 苏州群策科技有限公司;欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H05K3/10 | 分类号: | H05K3/10 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 潘培坤;张浴月 |
地址: | 215123江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种利用激光烧结以结合陶磁材料及铜材的细线路结构,该结构包括:一基板单元、一第一导电层、一陶磁材料层、一第二导电层及多个绝缘层。其中,该基板单元具有一基板本体及多个贯穿该基板本体的穿孔。该第一导电层填充于所述穿孔内并且形成于该基板本体上。该陶磁材料层形成于该第一导电层上。该第二导电层通过激光烧结或共烧结的方式结合于该陶磁材料层上。所述绝缘层分别设置于该第一导电层之间,以使得该第一导电层只露出一部分区域并且使得该第二导电层只露出一部分区域。本实用新型使用激光将陶磁材料与铜膏做共烧结或使用激光先将陶磁材料作烧结,不会损伤有机基材。 | ||
搜索关键词: | 利用 激光 烧结 结合 材料 细线 结构 | ||
【主权项】:
1、一种利用激光烧结以结合陶磁材料及铜材的细线路结构,其特征在于,包括:一基板单元,其具有一基板本体及多个贯穿该基板本体的穿孔;一第一导电层,其填充于所述穿孔内并且形成于该基板本体上;一陶磁材料层,其形成于该第一导电层上;一第二导电层,其形成于该陶磁材料层上;以及多个绝缘层,其分别设置于该第一导电层之间,以使得该第一导电层只露出一部分区域并且使得该第二导电层只露出一部分区域;其中,通过激光共烧结该第二导电层与该陶磁材料层的方式或通过只有激光烧结该陶磁材料层的方式,以使得该第二导电层与该陶磁材料层结合在一起。
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