[发明专利]溅射靶及其制造方法无效
申请号: | 200880000553.X | 申请日: | 2008-04-25 |
公开(公告)号: | CN101542012A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 高桥诚一郎;清远纯一 | 申请(专利权)人: | 三井金属矿业株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李 帆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供初期稳定性显著提高、同时除低溅射中期和后期的打弧、而且能够以低的成本制造的溅射靶和其制造方法以及溅射方法。该溅射靶供给溅射、向非腐蚀部堆积堆积物,该堆积物至少直至界面附近的层结晶性良好地进行堆积。另外,该溅射靶供给溅射、投入50Wh/cm2以上的能量后的向非腐蚀部的堆积物与溅射面之间基本上不存在空隙而进行堆积,另外,在靶的溅射面上具有水吸附层。 | ||
搜索关键词: | 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种溅射靶,是供给溅射、向非腐蚀部堆积堆积物的溅射靶,其特征在于,该堆积物至少直至界面附近的层结晶性良好地进行堆积。
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