[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200880000828.X | 申请日： | 2008-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101548378A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 定别当裕康 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括由半导体衬底(4)和多个设置于所述半导体衬底下方的外部连接电极构成的半导体结构(2)。下绝缘膜(1)设置于所述半导体结构的下方和外侧。密封膜(28)设置于所述下绝缘膜上以覆盖所述半导体结构的外围。多个下布线线路(22)设置于所述下绝缘膜下方并分别连接至所述半导体结构的所述外部连接电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：半导体结构(2)，包括半导体衬底(4)和多个设置于所述半导体衬底下方的外部连接电极(13)；下绝缘膜(1)，设置于所述半导体结构的下方和外侧；密封膜(28)，设置于所述下绝缘膜上，以覆盖所述半导体结构的外围；以及多个下布线线路(22)，设置于所述下绝缘膜下方且分别连接至所述半导体结构的所述外部连接电极。
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