[发明专利]半导体发光器件及半导体发光装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 200880001275.X 申请日: 2008-02-19
公开(公告)号: CN101569024A 公开(公告)日: 2009-10-28
发明(设计)人: 龟井英德 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种半导体发光器件及半导体发光装置的制造方法。在半导体发光装置中,因为从衬底侧面漏出的光会成为损失光,所以若衬底的侧面较大,光的拾取效率就会较低。若要将衬底侧面设为狭小的面,将衬底厚度设为很薄的厚度就可以。然而,若衬底较薄,机械强度就会较低,由于加工时所产生的应力等而会破裂,产品合格率下降。这是一个课题。根据本发明,在衬底上形成发光层,再用蜡材料将衬底固定在磨削台上,然后通过磨削使衬底变薄。之后,使支撑衬底附着在衬底上,弥补衬底强度。将衬底在附着有支撑衬底的状态下固定在电极等上,最后使支撑衬底剥离。
搜索关键词: 半导体 发光 器件 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体发光器件的制造方法,其特征在于:包括:在衬底上形成由n型层、活性层及p型层构成的发光层的工序,除去所述活性层的一部分和所述p型层的一部分,再在所述n型层上形成n侧电极,并在所述p型层上形成p侧电极的工序,使所述衬底附着在磨削台上的工序,对所述衬底进行磨削的工序,使支撑衬底附着在进行了所述磨削的衬底面上的工序,使所述衬底从所述磨削台上剥离的工序,在所述n型层中形成槽口的工序,以及使所述支撑衬底剥离的工序。
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