[发明专利]利用自对准的双应力膜增强NMOSFET和PMOSFET的性能无效
| 申请号： | 200880002379.2 | 申请日： | 2008-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101584039A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | M·库马尔;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 金 晓 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在包括PMOSFET及NMOSFET两者的集成电路中，在使用双应力膜的这两种FETs上，载流子迁移率会增强。通过利用第二应力膜边缘到第一应力膜事先存在边缘的自对准，可消除因具有沿着不同种膜之间边界上两层应力膜的不利影响。在两应力膜之间的边界上，应力膜邻接另一应力膜，但却没有任何应力膜叠覆另一应力膜。通过避免应力膜的叠覆，将施加在MOSFET沟道上的应力最大化。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 对准 应力 增强 nmosfet pmosfet 性能 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：基板；第一半导体上金属场效晶体管MOSFET，具有形成于所述基板上的第一沟道；第二MOSFET，具有形成于所述基板上的第二沟道；第一膜，位于所述第一MOSFET之上，并且至少向所述第一晶体管的沟道提供第一应力；以及第二膜，位于所述第二MOSFET之上，并且至少向所述第二晶体管的沟道提供第二应力，其中所述第二膜具有有角度的凸起，其自对准到所述第一膜的边缘，且所述第一应力不等于所述第二应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
