[发明专利]在晶片结合间隙中形成的芯片冷却通道有效
| 申请号： | 200880003718.9 | 申请日： | 2008-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN101601132A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | P·哈特威尔;D·斯图尔特 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/46 | 分类号： | H01L23/46 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘春元 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据本发明的一个实施例是一种系统(500)，其可以包括第一晶片(104)以及第二晶片(102)。所述第一晶片和所述第二晶片通过晶片结合工艺被结合在一起，所述晶片结合工艺在所述第一晶片和所述第二晶片之间形成间隙(128)。所述间隙被配置为容纳排热材料(530)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 结合 间隙 形成 芯片 冷却 通道 | ||
【主权项】：
1.一种系统(500)，包括：第一晶片(104)；以及第二晶片(102)，其中，所述第一晶片和所述第二晶片通过晶片结合工艺被结合在一起，所述晶片结合工艺在所述第一晶片和所述第二晶片之间形成间隙(128)，所述间隙被配置为容纳排热材料(530)。
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