[发明专利]将数据写入半导体存储器中的方法以及存储器控制器有效

专利信息
申请号: 200880005146.8 申请日: 2008-02-13
公开(公告)号: CN101611386A 公开(公告)日: 2009-12-23
发明(设计)人: 高田知二 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G06F12/16 分类号: G06F12/16;G11C16/02;G11C16/04
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;于 静
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种将数据写入半导体存储器(11)中的方法,在所述半导体存储器(11)中非易失性存储器基元(MC)被串联连接,每一个所述非易失性存储器基元(MC)都具有连接到字线(WL)的栅极,所述方法包括以下步骤:根据数据将被写入其中的存储器基元(MC)的字线地址,为所述数据选择编码方法(S13);对所述数据编码(S14);以及根据所述字线地址将编码后的数据写入所述存储器基元(MC)中(S15)。使用所选择的编码方法对所述数据编码。
搜索关键词: 数据 写入 半导体 存储器 中的 方法 以及 控制器
【主权项】:
1.一种将数据写入半导体存储器中的方法,在所述半导体存储器中非易失性存储器基元被串联连接,每个所述非易失性存储器基元都具有连接到字线的栅极,所述方法包括以下步骤:根据数据将被写入其中的存储器基元的字线地址,为所述数据选择编码方法;使用所选择的编码方法对所述数据编码;以及根据所述字线地址将编码后的数据写入所述存储器基元中。
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