[发明专利]用于非易失性闪速存储器的异质BIMOS注入工艺有效
| 申请号： | 200880006469.9 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101622705A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | J·T·卡瓦列罗斯;S·达塔;R·S·周;D·L·肯克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邬少俊;王 英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种异质BiMOS注入系统包括形成在衬底上的MOSFET晶体管和形成在衬底内的异质双极晶体管。该双极晶体管可以用于将电荷载流子注入到MOSFET晶体管的浮栅中。这是通过操作所述MOSFET晶体管以在其沟道区中形成反型层以及操作所述双极晶体管以将少数电荷载流子从衬底驱动到所述MOSFET晶体管的浮栅中来实现的。衬底为所述双极晶体管提供硅发射极和含硅锗的基极。反型层为所述双极晶体管提供硅集电极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性闪速 存储器 bimos 注入 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种异质BiMOS注入系统，包括：包括硅的高掺杂发射极层；耦合到所述发射极层的第一端子；沉积在所述高掺杂发射极层上的基极层，其中所述基极层包括硅锗；耦合到所述基极层的第二端子；以及形成在所述基极层上的MOSFET晶体管，其中所述MOSFET包括浮栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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