[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200880006549.4 | 申请日： | 2008-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101622609A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 杉田将人;前田敬司 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G06F12/16 | 分类号： | G06F12/16;G06F1/30 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;周良玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在基片上安装多个闪速存储器2、用于与主机设备100建立连接的连接器、用于闪速存储器2和主机设备100之间的数据传输的高速缓冲存储器4、控制闪速存储器2和主机设备100之间的数据传输的驱动控制电路3、把外部电源电压转换成内部电源电压的电源电路5。在基片上提供保护至少闪速存储器2免于过电流的熔丝10。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，包括：多个闪速存储器；连接器，能够连接到主机设备；高速缓冲存储器，用于提供到所述闪速存储器的数据传输；控制器，执行到所述闪速存储器的数据传输的控制；电源电路，其将外部电源电压转换成内部电源电压以向所述闪速存储器提供所述内部电源电压；以及熔丝，其保护至少所述闪速存储器免于过电流，其中，所述高速缓冲存储器、所述控制器和所述熔丝被安装在基片上。
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