[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 200880006997.4 | 申请日： | 2008-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101641747A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 永嵨宏行 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于 静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种半导体存储器装置，其具有多个存储器基元层，即使部分存储器基元层被判定为是有缺陷的，也可以使用所述存储器基元层。该半导体存储器装置包括：堆叠的存储器基元阵列，其具有层叠的多个存储器基元层，每一个存储器基元层中具有多个块；层品质信息存储电路(10)，其可存储层品质信息，该层品质信息指示出单独的存储器基元层是正常存储器基元层还是缺陷存储器基元层，以便将其中所发现的缺陷块的数目等于或大于预定数目的存储器基元层识别为缺陷存储器基元层并将其他的存储器基元层识别为正常存储器基元层；以及地址转换电路(11)，其中如果从外部输入的外部输入地址对应于在缺陷存储器基元层中的块，则该外部输入地址被地址转换以便对应于正常存储器基元层的块。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，包括：堆叠的存储器基元阵列，其具有层叠的多个存储器基元层，其中单独的存储器基元层中的每一个具有多个块；层品质信息存储电路，其可存储层品质信息，所述层品质信息指示出所述单独的存储器基元层是正常存储器基元层还是缺陷存储器基元层，以便将其中所发现的缺陷块的数目等于或大于预定数目的存储器基元层识别为缺陷存储器基元层并将其他的存储器基元层识别为正常存储器基元层；以及地址转换电路，其中如果从外部输入的外部输入的地址对应于在所述缺陷存储器基元层中的块，则所述外部输入的地址被地址转换以便对应于在所述正常存储器基元层中的块。
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