[发明专利]半导体材料内的沟槽形成无效
| 申请号： | 200880007500.0 | 申请日： | 2008-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN101627468A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 马克·D·霍尔;格伦·C·阿别利;约翰·M·格兰特 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘光明;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在半导体层(16)上形成半导体器件(10)。在半导体层上面形成栅极介质层(18)。在栅极介质层上面形成栅极材料层(20)。图案化栅极材料层以形成栅极结构(20)。使用栅极结构作为掩模，执行向半导体层内的注入(24)。为了形成第一图案化栅极结构(20)以及在半导体层(16)内围绕半导体层的第一部分(28)和第二部分(30)以及栅极的沟槽(42)，执行穿过栅极结构(20)和半导体层(16)的刻蚀。沟槽(42)用绝缘材料(46)填充。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 沟槽 形成 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导体层上形成半导体器件的方法，包括：在半导体层上形成栅极介质层；在所述栅极介质层上形成栅极材料层；图案化所述栅极材料层以形成栅极结构；使用所述栅极结构作为掩模在所述半导体层内注入；穿过所述栅极结构刻蚀以形成第一图案化栅极结构，以及穿过所述半导体层刻蚀以在所述半导体层内形成围绕所述半导体层的第一部分和第二部分及所述图案化栅极结构的沟槽；以及用绝缘材料填充所述沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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