[发明专利]用于成像器装置的封装方法无效
申请号: | 200880008363.2 | 申请日: | 2008-03-05 |
公开(公告)号: | CN101632177A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | 卢克·英格兰;拉里·D·金斯曼 | 申请(专利权)人: | 普廷数码影像控股公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孟 锐 |
地址: | 英属开*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示一种成像器装置,其包括至少一个定位在衬底的正表面上的光敏元件和一导电结构,所述导电结构至少部分地延伸穿过所述衬底中所界定的开口以导电性地耦合到第一表面上的电触点或接合垫。导电层压膜的绝缘材料和/或模制化合物材料定位在所述开口内所述导电结构的至少一部分与所述衬底之间。本发明还揭示一种装置,其包含衬底和位于所述衬底中的多个开口,其中所述开口中的每一者适于当所述衬底定位在成像器衬底上方并紧固到所述成像器衬底时定位在成像器装置上方。本发明还揭示一种形成成像器装置的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 成像 装置 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种成像器装置,其包含:至少一个光敏元件,其定位在衬底的正表面上;至少一个电触点结构,其定位在所述衬底的所述正表面上;导电结构,其至少部分地延伸穿过所述衬底中所界定的开口,所述导电结构导电性地耦合到所述至少一个电触点;以及层压结构的绝缘材料的一部分,其定位在所述开口内所述导电结构的至少一部分与所述衬底之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普廷数码影像控股公司,未经普廷数码影像控股公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880008363.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的