[发明专利]平面扩展漏极晶体管及其制造方法有效
申请号: | 200880008643.3 | 申请日: | 2008-03-12 |
公开(公告)号: | CN101636844A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 皮埃尔·戈阿兰 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/306;H01L21/324 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 源;张天舒 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 提供的平面扩展漏极晶体管(100)包括控制栅极(102)、漏极区(109)、沟道区(107)、以及漂移区(108),其中所述漂移区(108)被设置在所述沟道区(107)和所述漏极区(109)之间。而且,所述控制栅极(102)被至少部分地埋入所述沟道区(107)中,并且所述漂移区(108)包括掺杂材料的密度低于该漏极区(109)的掺杂材料密度。 | ||
搜索关键词: | 平面 扩展 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种平面扩展漏极晶体管(100)包括:控制栅极(102);漏极区(109);沟道区(107);和漂移区(108),其中所述漂移区(108)设置在所述沟道区(107)和所述漏极区(109)之间;其中所述控制栅极(102)被至少部分地埋入到所述沟道区(107)中;以及其中所述漂移区(108)包括的掺杂材料的密度低于所述漏极区(109)的掺杂材料的密度。
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