[发明专利]片上存储单元及其制造方法有效
| 申请号： | 200880009695.2 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101641772A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | S·达塔;J·卡瓦利罗斯;B·多勒;D·索马瑟科哈;A·凯沙瓦兹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 毛 力;谢喜堂 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种片上存储单元包括三栅存取晶体管(145)和三栅电容器(155)。片上存储单元可以是三维三栅晶体管和电容器结构上的嵌入式DRAM，它与现有三栅逻辑晶体管制造工艺完全兼容。本发明的实施例使用高垂直面纵横比和固有的较大表面积的三栅晶体管，从而用反向模式三栅电容器来替换商品DRAM中的“沟槽”电容器。三栅晶体管的高侧壁提供了足够大的表面积，以在小的单元面积上提供存储电容。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种片上存储单元，包括：三栅存取晶体管；以及三栅电容器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880009695.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有抽真空的管道内喷枪
- 下一篇：一种新型便携式铁架台
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
