[发明专利]等离子处理装置无效

专利信息
申请号: 200880009956.0 申请日: 2008-03-21
公开(公告)号: CN101658076A 公开(公告)日: 2010-02-24
发明(设计)人: 竹内裕人;中森勇一;功刀俊介 申请(专利权)人: 积水化学工业株式会社
主分类号: H05H1/24 分类号: H05H1/24;H01L21/3065;H01L21/304
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种等离子处理装置。防止异常放电落在等离子处理装置的接地电极中的喷出口的内面。在等离子处理装置的接地电极(40)中的面向电场施加电极(30)的放电面(42)上配置介电部件(60)。在介电部件(60)形成与电极间的放电空间(1p)连通的喷出导孔(62),并在接地电极(40)形成与喷出导孔(62)连通的喷出口(41)。使介电部件(60)中的喷出导孔(62)的内面比接地电极(40)中的喷出口(41)的内面突出。在介电部件(60)设置从与接地电极(40)的抵接面(63)沿齐面延长的阶梯面(64)。
搜索关键词: 等离子 处理 装置
【主权项】:
1.一种等离子处理装置,其在放电空间内使处理气体等离子化并喷出,使处理气体与配置在所述放电空间外部的被处理物配置部的被处理物接触,进行等离子表面处理,其特征在于,具有:电场施加电极,其与电源连接;接地电极,其具有朝向所述电场施加电极的放电面和朝向所述被处理物配置部的处理面,且电性接地;介电部件,其由固体电介质构成,且所述固体电介质与所述接地电极的放电面抵接且面向所述电场施加电极而形成所述放电空间,在所述介电部件形成有与所述放电空间相连的喷出导孔,在所述接地电极形成有与所述喷出导孔相连且从所述放电面贯通到所述处理面的喷出口,所述介电部件中的所述喷出导孔的内面比所述接地电极中的所述喷出口的内面的所述放电面侧的端缘向喷出口的径向内侧突出,所述介电部件具有:抵接面,其与所述接地电极的放电面抵接;阶梯面,其从该抵接面齐面延长并形成所述喷出导孔的内面与所述喷出口的内面之间的阶梯。
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