[发明专利]等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置、以及存储介质有效
| 申请号： | 200880011183.X | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101652842A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 壁义郎;小林岳志;盐泽俊彦;北川淳一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置、以及存储介质，在等离子体处理装置的处理室内，在对具有凹凸图案的被处理体实施基于等离子体的氧化处理从而形成氧化硅膜时，在处理气体中的氧的比率是0.5％以上不足10％并且处理压力为1.3～665Pa的条件下，在向载置被处理体的载置台施加高频电力的同时形成等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 氧化 处理 方法 装置 以及 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体氧化处理方法，其对具有凹凸图案的被处理体实施基于等离子体的氧化处理从而形成氧化硅膜，其特征在于：包括：在设置于等离子体处理装置的处理室内的载置台上，放置具有凹凸图案的被处理体；向所述处理室内供给氧的比率是0.5％以上不足10％的处理气体，将所述处理室内的压力保持为1.3～665Pa；在对所述载置台施加高频电力的同时形成所述处理气体的等离子体，通过该等离子体对被处理体实施氧化处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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