[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200880011389.2 | 申请日： | 2008-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101652833A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 增田健良 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种用于制造半导体器件的方法，其包括下述步骤：形成SiC膜；在SiC膜的表面形成沟槽(20)；通过向SiC膜表面提供Si，对SiC膜进行热处理；以及在通过所述热处理步骤的SiC膜的表面，获得多个宏台阶(1)以构造沟道。当设沟槽(20)一个周期长度作为L和沟槽(20)的高度作为h时，周期的长度L和高度h满足以下关系式：L＝h(cotα+cotβ)(其中，α和β分别是满足关系式0.5°≤α，β≤45°的变量)。该方法能够获得改善性能的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件(90)，其包含由碳化硅构成的半导体膜(11)，其中，所述半导体膜(11)在其表面具有等长的多个宏台阶(1)，所述多个宏台阶(1)构成至少一个沟道(16)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
