[发明专利]含铱元素的荧光体及其制造方法无效
| 申请号： | 200880011518.8 | 申请日： | 2008-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101652450A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 高井淳;辻嘉久;岩崎秀治 | 申请（专利权）人： | 可乐丽璐密奈丝株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/56 | 分类号： | C09K11/56;C09K11/08;C09K11/88 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在能量效率、色纯度、经济问题等方面没有问题、且能够有效发光的含铱第II-第VI族化合物荧光体及其制造方法。通过下述荧光体解决上述问题，所述荧光体，其特征在于，其是由含有铱的第II-第VI族化合物半导体组成的荧光体，铱从荧光体颗粒表面至内部均匀地分散。本发明还提供一种上述含铱荧光体的制造方法，其特征在于，其包括将包含第II-第VI族化合物半导体和铱化合物的无机组合物进行烧成的工序，使用铱络合物作为铱化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 元素 荧光 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种荧光体，其特征在于，其是以包含铱元素的第II-第VI族化合物半导体作为母体的荧光体，铱元素从荧光体表面至内部均匀地分散。
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