[发明专利]应变强化型半导体器件及用于该半导体器件制作的方法有效
| 申请号： | 200880011697.5 | 申请日： | 2008-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101711427A | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | J·N·潘;S-P·孙;A·M·韦特 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种应变强化型半导体器件(30)及用于该半导体器件制作的方法。一种方法，包括嵌入应变引发(strain inducing)半导体材料(102、106)于该器件的源极区(103、107)及漏极区(105、109)中来引发器件沟道(70、72)中的应变。薄金属硅化物接触件(metal silicide contact)(112)系形成于该源极区和该漏极区使所引发的应变不致于被消除。一层导电材料(114、116)系被选择性地沉积而与该薄金属硅化物接触件接触，而金属化接触件(metallized contact)(22)则形成于该导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 强化 半导体器件 用于 制作 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造应变强化型半导体器件(30)的方法，该半导体器件包括由沟道区(70、72)分隔开的源极区(103、107)和漏极区(105、109)以及覆盖于该沟道区上的栅极电极(66、68)，该方法包括以下步骤：在该源极区和漏极区中嵌入应变引发半导体材料(102、106)；对该源极区和漏极区形成薄金属硅化物接触件(112)；选择性地沉积一层与该薄金属硅化物接触件接触的导电材料(114、116)，以及对该导电材料形成金属化接触件(122)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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