[发明专利]小间距微触点及其形成方法无效
| 申请号： | 200880011888.1 | 申请日： | 2008-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101658078A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | B·哈巴;洼田与一;姜泽圭;J·M·帕克 | 申请（专利权）人： | 泰塞拉公司 |
| 主分类号： | H05K1/11 | 分类号： | H05K1/11;H01L23/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邬少俊;王 英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种方法包括：向加工过程中的衬底10施加最终耐蚀刻材料34，使得所述最终耐蚀刻材料34至少部分覆盖与所述衬底10一体并从所述衬底的表面18向上突出的第一微触点部分32；以及蚀刻所述衬底10的表面以便留下所述第一微触点部分32下方并与之一体的第二微触点部分36，所述最终耐蚀刻材料34至少部分保护所述第一微触点部分32在进一步蚀刻步骤中不被蚀刻。一种微电子单元，包括：衬底10，以及多个沿竖直方向从所述衬底10突出的微触点38，每个微触点38包括与所述衬底相邻的基部区域42和远离所述衬底的顶端区域32，每个微触点38具有水平尺度，所述水平尺度是所述基部区域42中竖直位置的第一函数，且是所述顶端区域32中竖直位置的第二函数。 | ||
| 搜索关键词： | 间距 触点 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成微触点的方法，包括：(a)在衬底的顶表面上的选定位置处提供第一耐蚀刻材料；(b)在未被所述第一耐蚀刻材料覆盖的位置处蚀刻所述衬底的顶表面，由此在所述选定位置处形成从所述衬底向上突出的第一微触点部分；(c)在所述第一微触点部分上提供第二耐蚀刻材料；以及(d)进一步蚀刻所述衬底以在所述第一微触点部分下方形成第二微触点部分，所述第二耐蚀刻材料至少部分保护所述第一微触点部分在所述进一步蚀刻步骤期间不被蚀刻。
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