[发明专利]光VT装置有效
| 申请号： | 200880012156.4 | 申请日： | 2008-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101680918A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 佐藤纯一;高桥正雄;竹内美和;前田照彦;藤川充弘;梅村时博;桑原豪 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝产业机器制造株式会社 |
| 主分类号： | G01R15/24 | 分类号： | G01R15/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 光VT装置具备：初级侧电极，与外部电气设备连接，通过上述电气设备被施加被测定电压；第一次级侧电极，与上述初级侧电极相对地设置；绝缘层，设置在上述初级侧电极与上述第一次级侧电极之间，构成与上述初级侧电极以及上述第一次级侧电极一起一体成形的绝缘筒；接地层，设置在上述绝缘筒的外周以及上述第一次级侧电极的周围，与上述第一次级侧电极之间具有上述绝缘层而确保静电电容；以及电气光学元件，对上述第一次级侧电极与上述接地层之间的电压进行测量。根据上述光VT装置，不会受到温度变化等周围环境的影响而可以高精度地进行被测定电压的测定，并且可以通过削减部件件数来实现装置小型化。 | ||
| 搜索关键词： | vt 装置 | ||
【主权项】：
1.一种光VT装置，其特征在于，具备：初级侧电极，与外部电气设备连接，通过上述电气设备被施加被测定电压；第一次级侧电极，与上述初级侧电极相对地设置；绝缘层，设置在上述初级侧电极与上述第一次级侧电极之间，构成与上述初级侧电极以及上述第一次级侧电极一起一体成形的绝缘筒；接地层，设置在上述绝缘筒的外周以及上述第一次级侧电极的周围，与上述第一次级侧电极之间具有上述绝缘层而确保静电电容；以及电气光学元件，对上述第一次级侧电极与上述接地层之间的电压进行测量。
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