[发明专利]电子器件的制备方法无效
申请号: | 200880013309.7 | 申请日: | 2008-03-28 |
公开(公告)号: | CN101669225A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | D·C·米勒;T·库尔;S·D·奥吉尔 | 申请(专利权)人: | 默克专利股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/10 | 分类号: | H01L51/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 陈 宙 |
地址: | 德国达*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及使用保护层制备电子器件的方法,和通过这种方法制备的改进的电子器件、尤其是有机场效应晶体管(OFET)。 | ||
搜索关键词: | 电子器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.制备包括介电层和至少一个另外功能层的电子器件的方法,其包括以下步骤:将一个或多个附加层或组件施加在所述介电层或功能层之上,其特征在于在施加所述附加层或组件之前将保护层施加在所述介电层之上或在所述功能层之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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