[发明专利]电子器件的制备方法无效

专利信息
申请号: 200880013309.7 申请日: 2008-03-28
公开(公告)号: CN101669225A 公开(公告)日: 2010-03-10
发明(设计)人: D·C·米勒;T·库尔;S·D·奥吉尔 申请(专利权)人: 默克专利股份有限公司
主分类号: H01L51/10 分类号: H01L51/10
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 陈 宙
地址: 德国达*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及使用保护层制备电子器件的方法,和通过这种方法制备的改进的电子器件、尤其是有机场效应晶体管(OFET)。
搜索关键词: 电子器件 制备 方法
【主权项】:
1.制备包括介电层和至少一个另外功能层的电子器件的方法,其包括以下步骤:将一个或多个附加层或组件施加在所述介电层或功能层之上,其特征在于在施加所述附加层或组件之前将保护层施加在所述介电层之上或在所述功能层之上。
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