[发明专利]Ti膜的成膜方法

摘要

本发明提供一种Ti膜的成膜方法，其包括下述步骤：将具有Si部分的被处理基板配置在载置台上；对被处理基板进行加热；使腔室内成为规定的压力；向腔室内导入含有TiCl₄气体和还原气体的处理气体；通过利用高频电场形成单元形成高频电场使处理气体等离子体化；和在被处理基板的表面使TiCl₄气体和还原气体发生反应，当通过该反应在被处理基板的Si部分形成Ti膜时，对腔室内压力和施加的高频电功率进行控制，以抑制在被处理基板的Si部分的TiSi的生成反应。

主权项

1.一种Ti膜的成膜方法，其特征在于：该Ti膜的成膜方法利用成膜装置在具有Si部分的被处理基板的Si含有部分形成Ti膜，其中，所述成膜装置包括：收容被处理基板的腔室；在腔室内载置被处理基板的载置台；对载置台上的基板进行加热的加热单元；向腔室内供给含有TiCl4气体和还原气体的处理气体的处理气体供给单元；在所述载置台上的被处理基板的上方空间形成高频电场的高频电场形成单元；和对所述腔室内进行排气的排气单元，所述Ti膜的成膜方法包括下述工序：将具有Si部分的被处理基板配置在所述载置台上；对被处理基板进行加热；使腔室内成为规定的压力；向腔室内导入含有TiCl4气体和还原气体的处理气体；利用所述高频电场形成单元形成高频电场而使所述处理气体等离子体化；和在被处理基板的表面使所述TiCl4气体和还原气体发生反应，当通过所述反应在被处理基板的Si部分形成Ti膜时，对腔室内压力和施加的高频电功率进行控制，以使在被处理基板的Si部分的TiSi的生成反应被抑制。