[发明专利]使用多相溶液进行基片清洁的技术无效
申请号: | 200880014419.5 | 申请日: | 2008-04-04 |
公开(公告)号: | CN101675509A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 埃里克·M·弗里尔;约翰·M·德拉里欧斯;迈克尔·拉夫金;米哈伊尔·科罗利克;弗里茨·C·雷德克 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/465 | 分类号: | H01L21/465 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种清洁上面有粒状物的半导体基片的相对表面的方法和系统。该方法包括在流体和该基片间产生相对移动。该相对移动在横穿(transverse)该相对表面之一的法线的方向上并产生两个间隔开的液流。每个液流邻近该相对表面中的一个,该表面不同于邻近该多个液流的剩余液流的该相对表面。该流体具有散布于其中的耦合单元,而建立该相对移动以向该耦合单元的子集上施加足够的牵引以产生该子集的该耦合单元在该流体中的移动。以这种方式,向该粒状物上施加一定量的牵引以使该粒状物相对于该基片移动。 | ||
搜索关键词: | 使用 多相 溶液 进行 清洁 技术 | ||
【主权项】:
1.一种用于清洁多个具有相对表面的基片的方法,其中至少一个基片上包括污染物,所述方法包括:通过将其中包含了多个基片的盒暴露至溶液,在所述多个基片和所述溶液之间同时产生相对移动,其中所述溶液有散布其中的耦合单元且所述相对移动在所述耦合单元的子集上施加足够的牵引以产生有所述子集的该耦合单元在所述溶液中的移动并在所述污染物上施加一定量的牵引以导致所述污染物相对于所述基片移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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