[发明专利]采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属基底的方法以及采用该方法制备印刷版的方法有效
申请号: | 200880014683.9 | 申请日: | 2008-09-22 |
公开(公告)号: | CN101675504A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 金志洙;田景秀;崔庚铢;李基罗;李承宪;申东明 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄丽娟;徐 琳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属的方法以及采用该方法制备印刷版的方法。在根据本发明的刻蚀玻璃或金属的方法中,由于负性光刻胶与金属或金属氧化物之间的粘合强度优异,光刻胶层不会被金属或金属氧化物刻蚀溶液腐蚀,所以不必制备反型光掩膜,制备方法简单且能够使用例如混合波长型光源的低分辨率光源,从而确保了经济效益。 | ||
搜索关键词: | 采用 光刻 刻蚀 玻璃 金属 基底 方法 以及 制备 印刷 | ||
【主权项】:
1、一种刻蚀玻璃的方法,其包括以下步骤:a)在设置于玻璃表面上的金属层或金属氧化物层上形成负性光刻胶层;b)使所述负性光刻胶层选择性地曝光;c)使所述负性光刻胶层的未曝光部分显影从而使负性光刻胶层图形化;d)刻蚀金属层或金属氧化物层,该部分金属层或金属氧化物层上没有涂敷步骤c)中被图形化的负性光刻胶层;和e)刻蚀玻璃,该部分玻璃上没有涂敷步骤d)中被图形化的金属层或金属氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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