[发明专利]锂离子二次电池有效

专利信息
申请号: 200880014815.8 申请日: 2008-07-18
公开(公告)号: CN101675545A 公开(公告)日: 2010-03-17
发明(设计)人: 本田和义;佐藤俊忠;末次大辅;柏木克巨;别所邦彦 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01M4/04 分类号: H01M4/04;H01M4/02;H01M4/38;H01M4/40;H01M4/48;H01M4/58;H01M10/40
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 段承恩;田 欣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 由正极集电体,与正极集电体相接设置在正极活性物质层,设置在正极活性物质层的未设置正极集电体的一侧的隔膜,设置在隔膜层的未设置正极活性物质层的一侧、具有与正极活性物质层对向的对向部和不与正极活性物质层对向的非对向部,含有采用薄膜形成法在对向部和非对向部制作的锂、以硅或锡为主成分的负极活性物质层,设置在负极活性物质层的未设置隔膜层的一侧的负极集电体构成锂离子二次电池。由此防止负极的变形,伴随负极变形的循环特性的降低。
搜索关键词: 锂离子 二次 电池
【主权项】:
1.一种锂离子二次电池,具有:正极集电体;与所述正极集电体接触地设置的正极活性物质层;隔膜层,其设置于所述正极活性物质层的未设有所述正极集电体的一侧;以硅或锡为主成分的负极活性物质层,其设置于所述隔膜层的未设有所述正极活性物质层的一侧,具有与所述正极活性物质层对向的对向部和不与所述正极活性物质层对向的非对向部,在所述对向部和所述非对向部含有由薄膜形成法制作的锂;和负极集电体,其设置于所述负极活性物质层的未设有所述隔膜层的一侧。
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