[发明专利]垂直电流受控绝缘体上硅(SOI)器件及其形成方法

摘要

本发明公开了一种绝缘体上硅(SOI)集成电路(IC)芯片，其具有诸如垂直可控硅整流器(SCR)、垂直双极晶体管、垂直电容器、电阻器和/或垂直夹止电阻器等的器件，以及制造所述器件的方法。这些器件形成在籽晶孔中，该籽晶孔穿过SOI表面层和绝缘体层而到达衬底。穿过籽晶孔在衬底中形成掩埋扩散区(例如，N型)。掺杂的外延层被形成在该掩埋扩散区上并包括多个掺杂层，例如，P型层和N型层。多晶硅(例如，P型)被形成在该掺杂的外延层上。在接触衬里中形成到该掩埋扩散区的接触。

主权项

1.一种用于形成集成电路芯片的方法，所述方法包括以下步骤：a)提供绝缘体上硅(SOI)晶片；b)开口籽晶孔，所述籽晶孔穿过所述SOI晶片的表面层而到达半导体衬底；c)在每一个所述籽晶孔中的所述半导体衬底中形成掩埋扩散区；d)在所述扩散区上形成外延层，所述外延层填充各个籽晶孔；以及e)形成到所述掩埋扩散区和所述外延层中的每一个的接触，所述接触与由所述掩埋扩散区和所述外延层所形成的电路部件的相对的端接触。