[发明专利]将防护环或接触形成到SOI衬底的方法

摘要

提供了一种形成与绝缘体上半导体(“SOI”)衬底的体半导体区域接触的导电部件的方法。在覆于沟槽隔离区域上面的保形层中形成第一开口。所述沟槽隔离区域与所述衬底的SOI层共享边缘。希望地，在所述保形层的顶面和所述沟槽隔离区域之上沉积介电层。然后，形成第二开口，所述第二开口延伸穿过所述介电层和所述保形层中的所述第一开口。希望地，在所述第二开口内暴露所述体半导体区域的部分和所述保形层的所述顶面。然后，可以用金属或半导体中的至少一种填充所述第二开口，以形成与所述体半导体区域的所述暴露的部分和所述保形层的所述顶面接触的导电部件。

主权项

1.一种形成与绝缘体上半导体(“SOI”)衬底(120)的体半导体区域(116)接触的导电部件的方法，所述体半导体区域(116)通过掩埋介电层(118)而与所述衬底(120)的SOI层(108)分隔，所述方法包括：a)在覆于沟槽隔离区域(124)上面的保形层(126)中形成第一开口(228)，所述沟槽隔离区域(124)与所述SOI层(108)共享边缘；b)在所述保形层(126)的顶面和所述沟槽隔离区域(124)之上沉积介电层(114)；c)形成第二开口(416)，所述第二开口(416)延伸穿过所述介电层(114)和所述保形层(126)中的所述第一开口(228)，以便在所述第二开口(416)内暴露所述体半导体区域的部分(116)和所述保形层(126)的所述顶面(128，328，414b，414a，514)；以及d)用金属或半导体中的至少一种填充所述第二开口(416)，以形成与所述体半导体区域的暴露的部分(116)和所述保形层的所述顶面(128，328，414b，414a，514)接触的导电部件(110，310，410a，410b，510)。