[发明专利]用于穿过金属封装形成隔离的导电触点的工艺无效
| 申请号： | 200880016591.4 | 申请日： | 2008-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101681818A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·纳什内尔;杰弗里·豪尔顿 | 申请（专利权）人： | ESI电子科技工业公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孟 锐 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种穿过金属衬底形成隔离的导电触点的方法，其包括穿过所述衬底形成至少一个通孔。清洁每一通孔的侧壁且给所述侧壁涂覆非导电层。通过阳极化或通过电介质的薄膜沉积形成所述非导电层。在用所述非导电层涂覆之后将导电填充物(例如，导电油墨或环氧树脂)置于所述通孔中。本发明还教示一种根据所述方法制作的外壳组件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 穿过 金属 封装 形成 隔离 导电 触点 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种在金属性衬底中形成电隔离触点的方法，其包含：在所述金属性衬底中形成通孔，其中所述通孔包括至少一个侧壁；在所述通孔的所述至少一个侧壁上形成电介质衬套；及在形成所述电介质衬套之后用导电材料填充所述通孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ESI电子科技工业公司，未经ESI电子科技工业公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880016591.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种计算机和虚拟环境中用户管理方法
- 下一篇：一种数据协同方法及移动通信终端
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
