[发明专利]半导体存储装置以及用于制造该半导体存储装置的方法

摘要

本发明系提供一种用于制造存储装置的方法，包括：提供半导体基板(505)，该半导体基板包含：具有第一导电类型的第一阱区(532)、具有第一导电类型的第二阱区(534)、覆于该第一阱区(532)上的第一栅极结构(562、566)以及覆于该第二阱区(534)上的第二栅极结构(568、574)；共形地沉积绝缘材料层(569)覆于该半导体基板(505)的暴露部分上；在覆于该第二阱区(534)的一部分的该绝缘材料层(569)的一部分上方提供感光材料(575)；该感光材料(575)暴露出部分的该绝缘材料层(569)；该绝缘材料层(569)的该暴露部分系被非等向性蚀刻以提供邻接该第二栅极结构(568、574)的第一侧壁的侧壁间隔物(sidewall spacer)(572)，以及覆于该第二栅极结构(568、574)的一部分上且邻接该第二栅极结构(568、574)的第二侧壁所形成的绝缘间隔物区块(570)；漏极区域(542)及源极/基极区域(550)系形成在该半导体基板(505)中邻接该第一栅极结构(562、566)，以及阴极区域(558)系形成在该半导体基板(505)中邻接该第二栅极结构(568、574)；该漏极区域(542)、该源极/基极区域(550)以及阴极区域(558)具有第二导电类型；第一导电类型的阳极区域(552)系形成于该源极/基极区域(550)中邻接该第二栅极结构(568、574)。

主权项

一种用于制造存储装置的方法，该方法包括以下步骤：提供半导体基板(505)，该半导体基板包括：第一阱区(532)、第二阱区(534)以及覆于该第二阱区(534)上的至少一个栅极结构(568、574)；共形地沉积绝缘材料层(569)覆于该半导体基板(505)的暴露部分上；在覆于该第二阱区(534)的一部分的该绝缘材料层(569)的一部分上方提供感光材料(575)，其中，该感光材料(575)暴露出部分的该绝缘材料层(569)；非等向性地蚀刻该绝缘材料层(569)的暴露部分，以提供：邻接该至少一个栅极结构(568、574)的第一侧壁的侧壁间隔物(572)，以及覆于该至少一个栅极电极结构(568、574)的一部分上且邻接该至少一个栅极电极结构(568、574)的第二侧壁所形成的绝缘间隔物区块(570)。