[发明专利]在半导体装置中通过使用在双应力衬层上方的额外层而获得的N沟道晶体管的增进的晶体管效能有效
| 申请号： | 200880018149.5 | 申请日： | 2008-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101919045A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | R·里希特;A·魏;R·博施克 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英国开*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明是通过形成如氮化硅的额外的介电材料层(260)，于图案化不同本质应力的介电衬层(230，240)之后，能使N沟道晶体管(220A)的效能明显增加，而实质上不造成P沟道晶体管(220B)的效能损失。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 通过 使用 应力 上方 额外 获得 沟道 晶体管 增进 效能 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：于第一晶体管(220B)上方形成第一应力诱发层(230)，该第一晶体管形成于基板(201)上方，该第一应力诱发层(230)产生第一类型应力；于第二晶体管(220A)上方形成第二应力诱发层(240)，该第二诱发应力层(240)产生不同于该第一类型应力的第二类型应力；于该第一及第二晶体管(220B，220A)上方形成第三介电层(260)，该第三介电层(260)于该第二晶体管(220A)上方所具有的内部应力等级小于该第一及第二应力诱发层(240，230)的内部应力等级；于该第一及第二晶体管(220B，220A)上方形成层间介电材料(250)；以及通过使用该第一及第二应力诱发层(230，240)以及该第三介电层(260)作为蚀刻停止材料，形成连接至该第一及第二晶体管(220B，220A)的接触开口(251)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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