[发明专利]光刻设备和方法有效

专利信息
申请号: 200880020205.9 申请日: 2008-06-13
公开(公告)号: CN101681122A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: J·J·M·巴塞尔曼斯;A·J·布理克尔 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王新华
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明提供一种用于测量光刻设备中的像差的系统和方法。辐射束采用单独可控元件的阵列(PD)进行调制,并且所调制的束采用投影系统(PS)进行投影。在单独可控元件的阵列(PD)上设置图案以调制辐射束,并且所述图案包括由多个特征形成的重复的结构,其尺寸被形成为使得辐射束的第一级衍射基本上充满投影系统的光瞳。传感器(S)探测投影的辐射并且测量由投影系统(PS)投影的辐射中的干涉。然后测量在所探测的辐射束中的像差。
搜索关键词: 光刻 设备 方法
【主权项】:
1.一种测量光刻设备中的像差的方法,所述方法包括步骤:使用单独可控元件的阵列调制辐射束;使用投影系统投影所调制的辐射束;使用传感器探测所投影的辐射;和测量在所探测的辐射束中的像差,其中在所述单独可控元件的阵列上设置图案以调制所述辐射束,其中所述图案具有重复的结构并且由多个特征形成,其中所述多个特征的尺寸形成为产生基本上充满投影系统的光瞳的所述辐射束的第一级衍射,并且其中所述传感器测量由所述投影系统投影的辐射中的干涉。
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