[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200880020280.5 | 申请日： | 2008-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101681859A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 森藤忠洋;上田茂幸 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可防止可靠性降低的半导体器件。所述的半导体器件包括：电极焊盘部分(2)，所述电极焊盘部分形成在半导体衬底(1)的上表面上；钝化层(3)，所述钝化层被形成在半导体衬底(1)的上表面上以与电极焊盘部分(2)的一部分重叠，并具有第一开口部分(3a)，在所述第一开口部分处，电极焊盘部分(2)的上表面被暴露；隔离金属层(5)，所述隔离金属层形成在电极焊盘部分(2)上；以及焊料隆起焊盘(6)，所述焊料隆起焊盘形成在隔离金属层(5)上。隔离金属层(5)被形成为当在平面图中观看时，其外周端(5b)位于钝化层(3)的第一开口部分(3a)内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：电极焊盘部分，所述电极焊盘部分形成在衬底的表面上；包括第一开口的第一保护层，通过所述第一开口，电极焊盘部分的顶面被暴露，所述第一保护层形成在衬底的所述表面上以与电极焊盘部分的一部分重叠；隔离金属层，所述隔离金属层形成在电极焊盘部分上；和隆起电极，所述隆起电极形成在隔离金属层上，其中，隔离金属层具有外周端部分，当从平面图观看时，所述外周端部分形成在第一保护层中的第一开口的内部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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