[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200880021800.4 | 申请日： | 2008-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101689560A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 花冈正行 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/74;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟 晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种缓和接合终端区域中的电场，可以高耐压化的半导体装置。具有元件区域(51)和接合终端区域(52)；元件区域具有第1导电型的第1半导体区域(2)、第2导电型的第2半导体区域(4)、第1导电型的第3半导体区域(10)、贯通第2半导体区域和第3半导体区域且底面到达第1半导体区域(2)的沟槽(35)、形成在沟槽侧面和底面的栅极绝缘膜(12)和埋入沟槽的栅极(8)；接合终端区域具有包围元件区域的从顶面向深度方向形成的终端沟槽(55)、形成在终端沟槽侧壁和底面的栅极绝缘膜(12)和埋入终端沟槽(55)的栅极(8)；从第2半导体区域(4)的顶面到终端沟槽(55)底面的深度为第2半导体区域的厚度的0.9～2.0倍。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，半导体基体具有含第1导电型杂质的第1半导体区域，和与所述第1半导体区域的顶面相接且为与第1导电型不同的第2导电型的第2半导体区域，所述半导体基体中具有：形成有开关元件的元件区域，从上面看以包围所述元件区域的方式形成的终端区域，从所述终端区域的所述第2半导体区域的顶面向深度方向形成的沟，形成在所述沟的侧壁和底面的绝缘膜，和隔着所述绝缘膜埋入所述沟内侧的第1导电层；从所述第2半导体区域的顶面到所述沟的底面为止的沟的深度为所述第2半导体区域的厚度的0.9～2.0倍。
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