[发明专利]扩展漏极晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200880022004.2 | 申请日： | 2008-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101689507A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 菲利皮·默尼耶-贝亚尔;安科·黑林格 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 扩展漏极晶体管(100)包括衬底(101)；形成在衬底(101)上的栅极(103)，所述栅极(103)具有第一侧壁(104)和与第一侧壁(104)相对的第二侧壁(105)；扩展漏极(106)，其被注入在衬底(101)中与栅极(103)的第二侧壁(105)相邻的表面部分中；栅极(103)的第二侧壁(105)上的间隔层(107)；源极(108)，其被注入在衬底(101)中与栅极(103)的第一侧壁(104)相邻的表面部分；以及漏极(109)，其被注入在衬底(101)中与间隔层(107)相邻的表面部分中，使得扩展漏极(106)被布置在栅极(103)与漏极(109)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 扩展 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造扩展漏极晶体管(100)的方法，所述方法包括步骤：在衬底(101)上形成栅极(103)；在栅极(103)的第一侧壁(104)上形成第一间隔层(900)；把扩展漏极(106)注入在衬底(101)中的与栅极(103)的第二侧壁(105)相邻的表面部分上，所述第二侧壁与第一侧壁(104)相对并且由第一间隔层(109)暴露；去除第一间隔层(900)；在栅极(103)的第二侧壁(105)上形成第二间隔层(107)；把源极(108)注入在衬底(101)中的与栅极(103)被第二间隔层(107)暴露的第一侧壁(104)相邻的表面部分上；并且把漏极(109)注入在衬底(101)中的与第二间隔层(107)相邻的表面部分上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
