[发明专利]驱动半导体存储器装置的方法以及半导体存储器装置

摘要

本公开涉及一种具有浮体类型的基元的存储器的驱动方法，该驱动方法包括：在写入操作期间执行第一循环，所述第一循环将第一电位施加到与第一选择的基元对应的位线且将第二电位施加到选择的字线以写入第一数据；在所述写入操作期间执行第二循环，所述第二循环将第三电位施加到与所述第一选择的存储器基元当中的第二选择的基元对应的位线且将第四电位施加到所述选择的字线以写入第二数据，其中，所述第二电位是以所述源极的电位和所述第一电位为基准而被偏置到与载流子的极性相反的反极性的电位，并且所述第四电位是以所述源极的电位和所述第三电位为基准而被偏置到与所述载流子的极性相同的极性的电位。

主权项

1.一种驱动半导体存储器装置的方法，所述半导体存储器装置包括：多个存储器基元，所述存储器基元包括源极、漏极以及处于电浮置状态的浮体，所述存储器基元根据在所述浮体中积累的载流子的数目来存储逻辑数据；连接到所述漏极的多条位线；与所述位线交叉的多条字线；以及读出放大器，所述读出放大器读取在选择的存储器基元中存储的数据，或者所述读出放大器将数据写入到所述选择的存储器基元，所述选择的存储器基元连接到所述多条位线当中的选择的位线并连接到所述多条字线当中的选择的字线，所述方法包括：在数据写入操作期间执行第一循环，所述第一循环将第一电位施加到与第一选择的存储器基元对应的位线且将第二电位施加到所述选择的字线，以便将第一逻辑数据写入到所述第一选择的存储器基元，所述第一逻辑数据指示出所述载流子的数目大；在所述数据写入操作期间执行第二循环，所述第二循环将第三电位施加到与所述第一选择的存储器基元当中的由所述位线选择出的第二选择的存储器基元对应的位线且将第四电位施加到所述选择的字线，以便将第二逻辑数据写入到所述第二选择的存储器基元，所述第二逻辑数据指示出所述载流子的数目小，其中，在所述第一循环中，所述第二电位是以所述源极的电位和所述第一电位的电位为基准而被偏置到与所述载流子的极性相反的极性的电位，以及在所述第二循环中，所述第四电位是以所述源极的电位和所述第三电位的电位为基准而被偏置到与所述载流子的极性相同的极性的电位。